OSI Optoelectronics, çeşitli performans ve konfigürasyonlara sahip geniş bir Silicon P-I-N ve Avalanche Fotodiyot yelpazesi sunar.

InGaAs fotodiyotlar, 800nm ila 1700nm NIR-IR spektrumunda mükemmel hassasiyet sunar. OSI, 450 nm’den 1700 nm’ye kadar hassasiyetle Visible, NIR ve SWIR dalga boylarındaki uygulamalar için genişletilmiş InGaAs fotodiyotları sağlar.

100μm aktif alana ve 400 ila 850nm hassasiyet aralığına sahip GaAs tabanlı fotodiyotlar, geniş dinamik aralıklı bir transimpedans amplifikatörü ile entegre edilmiştir.